Post:
#432862 Date:25.11.2013 (09:05) ...
Величина фотоЭДС в широком диапазоне освещенностей растет пропорционально логарифму интенсивности света. При очень большой интенсивности света, когда потенциальный барьер оказывается практически нулевым, величина фотоЭДС выходит на "насыщение" и становится равной высоте барьера на неосвещенном p-n переходе. При засветке же прямым, а также сконцентрированным до 100 - 1000 крат солнечным излучением, величина фотоЭДС составляет 50 - 85% от величины контактной разности потенциала p-n перехода.
На пальцах это значит что с уменьшением освещенности падает не только ток но и эдс батареи.
При разности в освещенности в 4 раза мощность падает в 8 раз.